Detalhes do produto:
|
Nome do produto: | Transistor de poder do Mosfet | modelo: | AP15N10D |
---|---|---|---|
Bloco: | TO-252 | Marcação: | AP15N10D XXX YYYY |
Tensão da VDSDrain-fonte: | 100V | Tensão do rce de VGSGate-Sou: | ±20V |
Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
Transistor de poder feito-à-medida do Mosfet baixo na resistência AP15N10D
Aplicações do transistor de poder do Mosfet
A tecnologia do poder MOSEFET é aplicável a muitos tipos de circuito. As aplicações incluem:
Descrição do transistor de poder do Mosfet:
A tecnologia avançada da trincheira dos usos de AP15N10D
e projeto para fornecer o RDS excelente (SOBRE) o baixo gat
carga de e. Pode ser usada em uma grande variedade de aplicações.
É ESD protestado.
Características do transistor de poder do Mosfet
VDS =100V, IDENTIFICAÇÃO =15A
RDS (SOBRE) <112m>
Marcação do pacote e informação pedindo
Identificação do produto | Bloco | Marcação | Qty (PCS) |
AP15N10D | TO-252 | AP15N10D XXX YYYY | 2500 |
Avaliações máximas absolutas (notáveis ℃unless de T C =25 de outra maneira)
Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
V DS | Tensão da Dreno-fonte | 100 | V |
V GS | Tensão do rce da porta-Sou | ±20 | V |
℃ da identificação @TC=25 | Corrente contínua do dreno, V GS @ 10V 1 | 15 | A |
℃ da identificação @TC=100 | Corrente contínua do dreno, V GS @ 10V 1 | 7,7 | A |
℃ da identificação @TA=25 | Corrente contínua do dreno, V GS @ 10V 1 | 3 | A |
℃ da identificação @TA=70 | Corrente contínua do dreno, V GS @ 10V 1 | 2,4 | A |
IDM | Corrente pulsada 2 do dreno | 24 | A |
EAS | Única energia 3 da avalancha do pulso | 6,1 | mJ |
IAS | Corrente da avalancha | 11 | A |
℃ DE P D@TC =25 | Dissipação de poder total 3 | 34,7 | W |
℃ DE P D@TA =25 | Dissipação de poder total 3 | 2 | W |
TSTG | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Variação da temperatura de funcionamento da junção | -55 a 150 | ℃ |
RθJA | Resistência térmica 1 Junção-ambiental | 62 | ℃/W |
RθJC | Junção-caso 1 da resistência térmica | 3,6 | ℃/W |
Características elétricas (℃ de TJ =25, salvo disposição em contrário)
Símbolo | Parâmetro | Circunstâncias | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade |
BV DSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | V GS=0V, I D=250uA | 100 | --- | --- | V |
△BV DSS/△TJ | Coeficiente de temperatura de BVDSS | Referência 25 ao ℃, ID=1mA | --- | 0,098 | --- | V/℃ |
RDS (SOBRE) | Em-resistência estática 2 da Dreno-fonte | V GS=10V, ID=10A | --- | 93 | 112 | mΩ |
V GS=4.5V, ID=8A | --- | 97 | 120 | mΩ | ||
V GS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | 1,0 | --- | 2,5 | V | |
△VGS (th) | V coeficiente de temperatura do GS (th) | --- | -4,57 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | V DS=80V, V GS=0V, ℃ DE TJ =25 | --- | --- | 1 | A |
V DS=80V, V GS=0V, ℃ DE TJ =55 | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Corrente do escapamento da Porta-fonte | V GS = ±20V, V DS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Transcondutância dianteira | V DS=5V, ID=10A | --- | 13 | --- | S |
Rg | Resistência da porta | V DS=0V, V GS=0V, f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
Qg | Carga total da porta (10V) | --- | 26,2 | --- | ||
Qgs | Carga da Porta-fonte | --- | 4,6 | --- | ||
Qgd | Carga do Porta-dreno | --- | 5,1 | --- | ||
TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação |
V DD=50V, V GS=10V, RG=3.3 ID=10A |
--- | 4,2 | --- |
ns |
Tr | ||||||
TD (fora) | Tempo de atraso da volta-Fora | --- | 35,6 | --- | ||
Tf | Tempo de queda | --- | 9,6 | --- | ||
Ciss | Capacidade da entrada | --- | 1535 | --- | ||
Coss | Capacidade de saída | --- | 60 | --- | ||
Crss | Capacidade reversa de transferência | --- | 37 | --- | ||
É | Corrente de fonte contínua 1,5 | V G=VD=0V, forçam a corrente | --- | --- | 12 | A |
ISMO | Corrente de fonte pulsada 2,5 | --- | --- | 24 | A | |
V SD | Tensão dianteira 2 do diodo | V GS=0V, I S=1A, ℃ DE TJ =25 | --- | --- | 1,2 | V |
trr | Tempo de recuperação reversa | IF=10A, dI/dt=100A/µs, | --- | 37 | --- | nS |
Qrr | Carga reversa da recuperação | --- | 27,3 | --- | nC |
Símbolo | Parâmetro | Circunstâncias | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade |
BV DSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | V GS=0V, I D=250uA | 100 | --- | --- | V |
△BV DSS/△TJ | Coeficiente de temperatura de BVDSS | Referência 25 ao ℃, ID=1mA | --- | 0,098 | --- | V/℃ |
RDS (SOBRE) | Em-resistência estática 2 da Dreno-fonte | V GS=10V, ID=10A | --- | 93 | 112 | mΩ |
V GS=4.5V, ID=8A | --- | 97 | 120 | mΩ | ||
V GS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | 1,0 | --- | 2,5 | V | |
△VGS (th) | V coeficiente de temperatura do GS (th) | --- | -4,57 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | V DS=80V, V GS=0V, ℃ DE TJ =25 | --- | --- | 1 | A |
V DS=80V, V GS=0V, ℃ DE TJ =55 | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Corrente do escapamento da Porta-fonte | V GS = ±20V, V DS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Transcondutância dianteira | V DS=5V, ID=10A | --- | 13 | --- | S |
Rg | Resistência da porta | V DS=0V, V GS=0V, f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
Qg | Carga total da porta (10V) | --- | 26,2 | --- | ||
Qgs | Carga da Porta-fonte | --- | 4,6 | --- | ||
Qgd | Carga do Porta-dreno | --- | 5,1 | --- | ||
TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação |
V DD=50V, V GS=10V, RG=3.3 ID=10A |
--- | 4,2 | --- |
ns |
Tr | ||||||
TD (fora) | Tempo de atraso da volta-Fora | --- | 35,6 | --- | ||
Tf | Tempo de queda | --- | 9,6 | --- | ||
Ciss | Capacidade da entrada | --- | 1535 | --- | ||
Coss | Capacidade de saída | --- | 60 | --- | ||
Crss | Capacidade reversa de transferência | --- | 37 | --- | ||
É | Corrente de fonte contínua 1,5 | V G=VD=0V, forçam a corrente | --- | --- | 12 | A |
ISMO | Corrente de fonte pulsada 2,5 | --- | --- | 24 | A | |
V SD | Tensão dianteira 2 do diodo | V GS=0V, I S=1A, ℃ DE TJ =25 | --- | --- | 1,2 | V |
trr | Tempo de recuperação reversa | IF=10A, dI/dt=100A/µs, | --- | 37 | --- | nS |
Qrr | Carga reversa da recuperação | --- | 27,3 | --- | nC |
Nota:
os dados 1.The testaram pela superfície montada em uma placa de 1 polegada FR-4 com cobre 2OZ. os dados 2.The testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ciclo de dever ≦2%
os dados de 3.The EAS mostram a avaliação máxima. A condição de teste é VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=11A
a dissipação de poder 4.The é limitada pela temperatura de junção de 150 ℃
5. Os dados são teoricamente os mesmos como IDand IDM, em aplicações reais, deve ser limitado pela dissipação de poder total.
Atenção
1, algum e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto não tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenção das funções vitais, sistemas de controlo de avião, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte-o com seu mais próximo representativo da microeletrônica de APM antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto em tais aplicações.
2, microeletrônica de APM não supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultam de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condição operacional, ou outros parâmetros) alistados em especificações de produtos de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.
3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e não são garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos como montado nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que não podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.
4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar o fumo ou o fogo, ou que poderiam causar dano à outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos não possam ocorrer. Tais medidas incluem mas não são limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenção de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.
5, caso exister ou todos os produtos da microeletrônica de APM (que incluem dados, serviços técnicos) descritos ou contidos nisto forem controlados sob alguns de leis e de regulamentos aplicáveis de controlo de exportações locais, tais produtos não devem ser exportados sem obter a licença de exportação das autoridades referidas de acordo com a lei acima.
6, nenhuma parte desta publicação podem ser reproduzidos ou transmitido em todo o formulário ou por qualquer meio, eletrônico ou mecânico, incluindo a fotocópia e a gravação, ou o qualquer sistema de armazenamento ou de recuperação de informação, ou de outra maneira, sem a autorização escrita prévia do semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD.
7, informação (incluindo esquemas de circuito e parâmetros do circuito) são nisto por exemplo somente; não se garante para a produção de volume. A microeletrônica de APM acredita que a informação nisto é exata e segura, mas nenhuma garantia está feita ou implicada em relação a seu uso ou a todas as infrações dos direitos de propriedade intelectual ou dos outros direitos de terceiros.
8, alguns e toda a informação descritos ou contidos nisto são sujeitos mudar sem aviso prévio devido ao produto/melhoria da tecnologia, etc. Ao projetar o equipamento, refira da “a especificação entrega” para o produto da microeletrônica de APM que você pretende usar.
Pessoa de Contato: David